IAUCN08S7N024TATMA1 vs IAUCN10S5L110TATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IAUCN08S7N024TATMA1 par Infineon et IAUCN10S5L110TATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IAUCN08S7N024TATMA1 - 80V 2.44mΩ OptiMOS 7 Auto MOSFET | Infineon
IAUCN08S7N024TATMA1 ✓ ActifInfineon
IAUCN10S5L110TATMA1 - 100V 61A OptiMOS 5 N-Ch MOSFET | Infineon
IAUCN10S5L110TATMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | IAUCN08S7N024TATMA1 | IAUCN10S5L110TATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $2,45 | $2,08 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 7 | OptiMOS 5 |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide Semiconductor) | N-Channel MOSFET, Trench, Logic Level |
| Drain-Source Voltage (Vds) | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) at Tj | 165 A | — |
| Power Dissipation (Pd) at Tc | 157 W | — |
| Rds(on) Max at Vgs=10V | 2.44 mOhm | — |
| Boîtier / Format | PG-LHDSO-10-1 (SSO10T, 5x7 mm²) | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Cooling | Top-side cooled | — |
| Plage de température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | AEC-Q101 Extended Qualification |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Gate Threshold (Vgs(th)) | [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg typ] | — |
| Input Capacitance (Ciss) | [DATA_NEEDED: Ciss typ] | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tj | — | 61 A |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 11.3 mΩ |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | [DATA_NEEDED: gate-source voltage rating] |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 88 W |
| Température de jonction en fonctionnement | — | -55 °C to +175 °C |
| Storage Temperature | — | [DATA_NEEDED: storage temperature] |
| Boîtier | — | PG-LHDSO-10-1 (SSO10T 5x7), Top-Side Cooled |
| Niveau MSL | — | MSL1 (260°C peak reflow) |
| Avalanche Rated | — | 100% Avalanche Tested |