IAUCN08S7N024TATMA1 vs IAUCN10S5L110TATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IAUCN08S7N024TATMA1 por Infineon e IAUCN10S5L110TATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IAUCN08S7N024TATMA1 IAUCN10S5L110TATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $2,45 $2,08
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 7 OptiMOS 5
FET Type N-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide Semiconductor) N-Channel MOSFET, Trench, Logic Level
Drain-Source Voltage (Vds) 80 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tj 165 A —
Power Dissipation (Pd) at Tc 157 W —
Rds(on) Max at Vgs=10V 2.44 mOhm —
Encapsulamento / Caixa PG-LHDSO-10-1 (SSO10T, 5x7 mm²) —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Cooling Top-side cooled —
Faixa de temperatura de operação [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101 Extended Qualification
Status RoHS Compliant Compliant
Gate Threshold (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typ] —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss typ] —
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tj — 61 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 11.3 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: gate-source voltage rating]
Power Dissipation (PD) at Tc — 88 W
Temperatura de junção de operação — -55 °C to +175 °C
Storage Temperature — [DATA_NEEDED: storage temperature]
Encapsulamento — PG-LHDSO-10-1 (SSO10T 5x7), Top-Side Cooled
Nível MSL — MSL1 (260°C peak reflow)
Avalanche Rated — 100% Avalanche Tested

Fichas técnicas e recursos

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