IAUCN08S7N024TATMA1 vs IAUCN10S5L110TATMA1 비교
다음의 상세 나란히 비교: IAUCN08S7N024TATMA1 제조: Infineon 및 IAUCN10S5L110TATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | IAUCN08S7N024TATMA1 | IAUCN10S5L110TATMA1 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $2.45 | $2.08 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 7 | OptiMOS 5 |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide Semiconductor) | N-Channel MOSFET, Trench, Logic Level |
| Drain-Source Voltage (Vds) | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) at Tj | 165 A | — |
| Power Dissipation (Pd) at Tc | 157 W | — |
| Rds(on) Max at Vgs=10V | 2.44 mOhm | — |
| 패키지 / 케이스 | PG-LHDSO-10-1 (SSO10T, 5x7 mm²) | — |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Cooling | Top-side cooled | — |
| 동작 온도 범위 | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | AEC-Q101 Extended Qualification |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant |
| Gate Threshold (Vgs(th)) | [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg typ] | — |
| Input Capacitance (Ciss) | [DATA_NEEDED: Ciss typ] | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tj | — | 61 A |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 11.3 mΩ |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | [DATA_NEEDED: gate-source voltage rating] |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 88 W |
| 동작 접합 온도 | — | -55 °C to +175 °C |
| Storage Temperature | — | [DATA_NEEDED: storage temperature] |
| 패키지 | — | PG-LHDSO-10-1 (SSO10T 5x7), Top-Side Cooled |
| MSL 레벨 | — | MSL1 (260°C peak reflow) |
| Avalanche Rated | — | 100% Avalanche Tested |