IAUCN10S5L280DATMA1 vs IAUTN12S5N017ATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IAUCN10S5L280DATMA1 von Infineon und IAUTN12S5N017ATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IAUCN10S5L280DATMA1 IAUTN12S5N017ATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,62 $4,83
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 5 —
Configuration Dual N-Channel MOSFET Array —
Drain-Source Voltage (Vds) 100 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tj 23 A —
Power Dissipation (Pd) at Tc 38 W —
Gehäuse PG-TDSON-8-61 (SSO8) PG-HSOF-8-1 (HSOF-8, surface mount)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualified Yes (AEC-Q101, IAU prefix) —
Technology OptiMOS 5 Trench MOSFET OptiMOS 5 trench MOSFET
Betriebstemperaturbereich -55C to +175C (junction) -55 °C to +175 °C (junction)
Pin-Anzahl 8 —
MSL-Level 1 1 (per JEDEC J-STD-020, by package)
RoHS-Status Compliant Compliant (per distributor listings)
Packing Tape & Reel (T&R) —
Series — OptiMOS™ 5
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) — 120 V
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25°C) — 314 A
On-Resistance (R<sub>DS(on)</sub>, V<sub>GS</sub>=10 V) — 1.7 mΩ
Gate Threshold Voltage (V<sub>GS(th)</sub>) — 2.5 V typical (range per datasheet)
Gate Charge (Q<sub>g</sub>) — per datasheet curve (typ. ~150 nC class)
Maximum Junction Temperature — 175 °C
Mounting Position — Kelvin source pin (pin 2) for high-frequency layouts
Qualification — Automotive grade (per Infineon part page, AEC-Q101 expected for the family)

Datenblätter & Ressourcen

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