IAUCN10S5L280DATMA1 vs IAUTN12S5N017ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IAUCN10S5L280DATMA1 por Infineon e IAUTN12S5N017ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IAUCN10S5L280DATMA1 IAUTN12S5N017ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,62 $4,83
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 5 —
Configuration Dual N-Channel MOSFET Array —
Drain-Source Voltage (Vds) 100 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tj 23 A —
Power Dissipation (Pd) at Tc 38 W —
Encapsulamento PG-TDSON-8-61 (SSO8) PG-HSOF-8-1 (HSOF-8, surface mount)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualified Yes (AEC-Q101, IAU prefix) —
Technology OptiMOS 5 Trench MOSFET OptiMOS 5 trench MOSFET
Faixa de temperatura de operação -55C to +175C (junction) -55 °C to +175 °C (junction)
Contagem de pinos 8 —
Nível MSL 1 1 (per JEDEC J-STD-020, by package)
Status RoHS Compliant Compliant (per distributor listings)
Packing Tape & Reel (T&R) —
Series — OptiMOS™ 5
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) — 120 V
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25°C) — 314 A
On-Resistance (R<sub>DS(on)</sub>, V<sub>GS</sub>=10 V) — 1.7 mΩ
Gate Threshold Voltage (V<sub>GS(th)</sub>) — 2.5 V typical (range per datasheet)
Gate Charge (Q<sub>g</sub>) — per datasheet curve (typ. ~150 nC class)
Maximum Junction Temperature — 175 °C
Mounting Position — Kelvin source pin (pin 2) for high-frequency layouts
Qualification — Automotive grade (per Infineon part page, AEC-Q101 expected for the family)

Fichas técnicas e recursos

Ver todos os produtos Criar BOM Solicitar cotação