IAUCN10S5L280DATMA1 vs IAUTN12S5N017ATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IAUCN10S5L280DATMA1 par Infineon et IAUTN12S5N017ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IAUCN10S5L280DATMA1 - 100V Dual N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon
IAUCN10S5L280DATMA1 ✓ ActifInfineon
IAUTN12S5N017ATMA1 - 120V 1.7mΩ N-Channel OptiMOS 5 MOSFET | Infineon
IAUTN12S5N017ATMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | IAUCN10S5L280DATMA1 | IAUTN12S5N017ATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,62 | $4,83 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 5 | — |
| Configuration | Dual N-Channel MOSFET Array | — |
| Drain-Source Voltage (Vds) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) at Tj | 23 A | — |
| Power Dissipation (Pd) at Tc | 38 W | — |
| Boîtier | PG-TDSON-8-61 (SSO8) | PG-HSOF-8-1 (HSOF-8, surface mount) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualified | Yes (AEC-Q101, IAU prefix) | — |
| Technology | OptiMOS 5 Trench MOSFET | OptiMOS 5 trench MOSFET |
| Plage de température de fonctionnement | -55C to +175C (junction) | -55 °C to +175 °C (junction) |
| Nombre de broches | 8 | — |
| Niveau MSL | 1 | 1 (per JEDEC J-STD-020, by package) |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant (per distributor listings) |
| Packing | Tape & Reel (T&R) | — |
| Series | — | OptiMOS™ 5 |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) | — | 120 V |
| Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25°C) | — | 314 A |
| On-Resistance (R<sub>DS(on)</sub>, V<sub>GS</sub>=10 V) | — | 1.7 mΩ |
| Gate Threshold Voltage (V<sub>GS(th)</sub>) | — | 2.5 V typical (range per datasheet) |
| Gate Charge (Q<sub>g</sub>) | — | per datasheet curve (typ. ~150 nC class) |
| Maximum Junction Temperature | — | 175 °C |
| Mounting Position | — | Kelvin source pin (pin 2) for high-frequency layouts |
| Qualification | — | Automotive grade (per Infineon part page, AEC-Q101 expected for the family) |