IAUS300N08S5N011TATMA1 vs ISC151N08NM6ATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IAUS300N08S5N011TATMA1 von Infineon und ISC151N08NM6ATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Infineon
ISC151N08NM6ATMA1 ISC151N08NM6ATMA1 - 80V 37A N-Ch MOSFET | Infineon TDSON-8

ISC151N08NM6ATMA1 - 80V 37A N-Ch MOSFET | Infineon TDSON-8

ISC151N08NM6ATMA1 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter IAUS300N08S5N011TATMA1 ISC151N08NM6ATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $2,65 $0,78
FET Type N-Channel —
Technology OptiMOS-5 (trench MOSFET) OptiMOS 6
Drain-Source Voltage (V_DS) 80 V —
Continuous Drain Current (I_D, Tj) 300 A —
Power Dissipation (P_D, Tc) 375 W —
R_DS(on) Max @ V_GS=10V 1.1 mOhm —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) 3 V (max) —
Total Gate Charge (Q_G) @ 10V 231 nC —
Output Capacitance (C_OSS) 130 pF (typ) —
Reverse Transfer Capacitance (C_RSS) 16.25 nF (typ) —
Betriebstemperaturbereich -55 C to +175 C (Tj) —
Gehäuse PG-HDSOP-16-2 (HDSOP-16) PG-TDSON-8 FL
Montageart Surface Mount Surface Mount
Number of Channels 1 —
RoHS-Status Compliant Compliant
Automotive Qualified Yes (Infineon automotive part) —
Transistortyp — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 80 V
Continuous Drain Current (TA=25°C) — 9.2 A
Kontinuierlicher Drain-Strom (TC=25°C) — 37 A
Power Dissipation (TA) — 3 W
Power Dissipation (TC) — 48 W
On-Resistance RDS(on) max — 15.1 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 3.5 V
Anzahl der Pins — 8
Channel Mode — Enhancement
Betriebstemperatur — -55 °C to +175 °C

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