IAUS300N08S5N011TATMA1 vs ISC151N08NM6ATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IAUS300N08S5N011TATMA1 par Infineon et ISC151N08NM6ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IAUS300N08S5N011TATMA1 - 80V 300A 1.1mOhm OptiMOS-5 MOSFET | Infineon
IAUS300N08S5N011TATMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | IAUS300N08S5N011TATMA1 | ISC151N08NM6ATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $2,65 | $0,78 |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | OptiMOS-5 (trench MOSFET) | OptiMOS 6 |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D, Tj) | 300 A | — |
| Power Dissipation (P_D, Tc) | 375 W | — |
| R_DS(on) Max @ V_GS=10V | 1.1 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | 3 V (max) | — |
| Total Gate Charge (Q_G) @ 10V | 231 nC | — |
| Output Capacitance (C_OSS) | 130 pF (typ) | — |
| Reverse Transfer Capacitance (C_RSS) | 16.25 nF (typ) | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55 C to +175 C (Tj) | — |
| Boîtier | PG-HDSOP-16-2 (HDSOP-16) | PG-TDSON-8 FL |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Number of Channels | 1 | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Automotive Qualified | Yes (Infineon automotive part) | — |
| Type de transistor | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 80 V |
| Continuous Drain Current (TA=25°C) | — | 9.2 A |
| Courant de drain continu (TC=25°C) | — | 37 A |
| Power Dissipation (TA) | — | 3 W |
| Power Dissipation (TC) | — | 48 W |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 15.1 mΩ |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | 3.5 V |
| Nombre de broches | — | 8 |
| Channel Mode | — | Enhancement |
| Température de fonctionnement | — | -55 °C to +175 °C |