IAUS300N08S5N011TATMA1 vs ISC151N08NM6ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IAUS300N08S5N011TATMA1 par Infineon et ISC151N08NM6ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
ISC151N08NM6ATMA1 ISC151N08NM6ATMA1 - 80V 37A N-Ch MOSFET | Infineon TDSON-8

ISC151N08NM6ATMA1 - 80V 37A N-Ch MOSFET | Infineon TDSON-8

ISC151N08NM6ATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre IAUS300N08S5N011TATMA1 ISC151N08NM6ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $2,65 $0,78
FET Type N-Channel —
Technology OptiMOS-5 (trench MOSFET) OptiMOS 6
Drain-Source Voltage (V_DS) 80 V —
Continuous Drain Current (I_D, Tj) 300 A —
Power Dissipation (P_D, Tc) 375 W —
R_DS(on) Max @ V_GS=10V 1.1 mOhm —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) 3 V (max) —
Total Gate Charge (Q_G) @ 10V 231 nC —
Output Capacitance (C_OSS) 130 pF (typ) —
Reverse Transfer Capacitance (C_RSS) 16.25 nF (typ) —
Plage de température de fonctionnement -55 C to +175 C (Tj) —
Boîtier PG-HDSOP-16-2 (HDSOP-16) PG-TDSON-8 FL
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Number of Channels 1 —
Statut RoHS Compliant Compliant
Automotive Qualified Yes (Infineon automotive part) —
Type de transistor — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 80 V
Continuous Drain Current (TA=25°C) — 9.2 A
Courant de drain continu (TC=25°C) — 37 A
Power Dissipation (TA) — 3 W
Power Dissipation (TC) — 48 W
On-Resistance RDS(on) max — 15.1 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 3.5 V
Nombre de broches — 8
Channel Mode — Enhancement
Température de fonctionnement — -55 °C to +175 °C

Fiches techniques et ressources

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