IAUS300N08S5N011TATMA1 vs ISC151N08NM6ATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IAUS300N08S5N011TATMA1 por Infineon y ISC151N08NM6ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
ISC151N08NM6ATMA1 ISC151N08NM6ATMA1 - 80V 37A N-Ch MOSFET | Infineon TDSON-8

ISC151N08NM6ATMA1 - 80V 37A N-Ch MOSFET | Infineon TDSON-8

ISC151N08NM6ATMA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro IAUS300N08S5N011TATMA1 ISC151N08NM6ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $2,65 $0,78
FET Type N-Channel —
Technology OptiMOS-5 (trench MOSFET) OptiMOS 6
Drain-Source Voltage (V_DS) 80 V —
Continuous Drain Current (I_D, Tj) 300 A —
Power Dissipation (P_D, Tc) 375 W —
R_DS(on) Max @ V_GS=10V 1.1 mOhm —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) 3 V (max) —
Total Gate Charge (Q_G) @ 10V 231 nC —
Output Capacitance (C_OSS) 130 pF (typ) —
Reverse Transfer Capacitance (C_RSS) 16.25 nF (typ) —
Rango de temperatura de funcionamiento -55 C to +175 C (Tj) —
Encapsulado PG-HDSOP-16-2 (HDSOP-16) PG-TDSON-8 FL
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Number of Channels 1 —
Estado RoHS Compliant Compliant
Automotive Qualified Yes (Infineon automotive part) —
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 80 V
Continuous Drain Current (TA=25°C) — 9.2 A
Corriente de drenador continua (TC=25°C) — 37 A
Power Dissipation (TA) — 3 W
Power Dissipation (TC) — 48 W
On-Resistance RDS(on) max — 15.1 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 3.5 V
Número de pines — 8
Channel Mode — Enhancement
Temperatura de funcionamiento — -55 °C to +175 °C

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