IAUS300N08S5N011TATMA1 vs ISC151N08NM6ATMA1 对比

详细并排对比 IAUS300N08S5N011TATMA1 出自 Infineon 和 ISC151N08NM6ATMA1 出自 Infineon。对比关键规格、电气参数、封装、生命周期状态、价格和供货情况,以确定最适合您设计需求的元器件。

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IAUS300N08S5N011TATMA1 IAUS300N08S5N011TATMA1 - 80V 300A 1.1mOhm OptiMOS-5 MOSFET | Infineon

IAUS300N08S5N011TATMA1 - 80V 300A 1.1mOhm OptiMOS-5 MOSFET | Infineon

IAUS300N08S5N011TATMA1 ✓ 量产中
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ISC151N08NM6ATMA1 ISC151N08NM6ATMA1 - 80V 37A N-Ch MOSFET | Infineon TDSON-8

ISC151N08NM6ATMA1 - 80V 37A N-Ch MOSFET | Infineon TDSON-8

ISC151N08NM6ATMA1 ✓ 量产中

规格对比

参数 IAUS300N08S5N011TATMA1 ISC151N08NM6ATMA1
品牌 Infineon Infineon
分类 MOSFETs MOSFETs
生命周期状态 有效 有效
库存状态 有库存 有库存
单价(USD) $2.65 $0.78
FET Type N-Channel —
Technology OptiMOS-5 (trench MOSFET) OptiMOS 6
Drain-Source Voltage (V_DS) 80 V —
Continuous Drain Current (I_D, Tj) 300 A —
Power Dissipation (P_D, Tc) 375 W —
R_DS(on) Max @ V_GS=10V 1.1 mOhm —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) 3 V (max) —
Total Gate Charge (Q_G) @ 10V 231 nC —
Output Capacitance (C_OSS) 130 pF (typ) —
Reverse Transfer Capacitance (C_RSS) 16.25 nF (typ) —
工作温度范围 -55 C to +175 C (Tj) —
封装 PG-HDSOP-16-2 (HDSOP-16) PG-TDSON-8 FL
安装类型 Surface Mount Surface Mount
Number of Channels 1 —
RoHS 状态 Compliant Compliant
Automotive Qualified Yes (Infineon automotive part) —
晶体管类型 — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 80 V
Continuous Drain Current (TA=25°C) — 9.2 A
连续漏极电流(TC=25°C) — 37 A
Power Dissipation (TA) — 3 W
Power Dissipation (TC) — 48 W
On-Resistance RDS(on) max — 15.1 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 3.5 V
引脚数 — 8
Channel Mode — Enhancement
工作温度 — -55 °C to +175 °C

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