IAUS300N08S5N011TATMA1 vs ISC151N08NM6ATMA1 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IAUS300N08S5N011TATMA1 от Infineon и ISC151N08NM6ATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IAUS300N08S5N011TATMA1 IAUS300N08S5N011TATMA1 - 80V 300A 1.1mOhm OptiMOS-5 MOSFET | Infineon

IAUS300N08S5N011TATMA1 - 80V 300A 1.1mOhm OptiMOS-5 MOSFET | Infineon

IAUS300N08S5N011TATMA1 ✓ Активен
Infineon
ISC151N08NM6ATMA1 ISC151N08NM6ATMA1 - 80V 37A N-Ch MOSFET | Infineon TDSON-8

ISC151N08NM6ATMA1 - 80V 37A N-Ch MOSFET | Infineon TDSON-8

ISC151N08NM6ATMA1 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IAUS300N08S5N011TATMA1 ISC151N08NM6ATMA1
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $2,65 $0,78
FET Type N-Channel —
Technology OptiMOS-5 (trench MOSFET) OptiMOS 6
Drain-Source Voltage (V_DS) 80 V —
Continuous Drain Current (I_D, Tj) 300 A —
Power Dissipation (P_D, Tc) 375 W —
R_DS(on) Max @ V_GS=10V 1.1 mOhm —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) 3 V (max) —
Total Gate Charge (Q_G) @ 10V 231 nC —
Output Capacitance (C_OSS) 130 pF (typ) —
Reverse Transfer Capacitance (C_RSS) 16.25 nF (typ) —
Диапазон рабочих температур -55 C to +175 C (Tj) —
Корпус PG-HDSOP-16-2 (HDSOP-16) PG-TDSON-8 FL
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Number of Channels 1 —
Статус RoHS Compliant Compliant
Automotive Qualified Yes (Infineon automotive part) —
Тип транзистора — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 80 V
Continuous Drain Current (TA=25°C) — 9.2 A
Непрерывный ток стока (TC=25°C) — 37 A
Power Dissipation (TA) — 3 W
Power Dissipation (TC) — 48 W
On-Resistance RDS(on) max — 15.1 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 3.5 V
Количество выводов — 8
Channel Mode — Enhancement
Рабочая температура — -55 °C to +175 °C

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену