IAUZN04S7N049ATMA1 vs IAUCN04S7N019GATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IAUZN04S7N049ATMA1 von Infineon und IAUCN04S7N019GATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IAUZN04S7N049ATMA1 IAUCN04S7N019GATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,32 $0,82
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS-7 —
Transistortyp N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) 40 V —
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, T<sub>a</sub>) 14 A —
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, T<sub>j</sub>) 70 A —
Pulsed Drain Current (I<sub>DM</sub>) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
R<sub>DS(on)</sub> (max, V<sub>GS</sub>=10V) 1.2 to 4.9 mOhm —
Gate Threshold Voltage (V<sub>GS(th)</sub>) [DATA_NEEDED: VGS(th)] —
Power Dissipation (P<sub>D</sub>, T<sub>c</sub>) 45 W —
Betriebstemperaturbereich -55C to +175C (junction) [DATA_NEEDED: junction temperature range from datasheet]
Gehäuse PG-TSDSON-8-44 (5x6 mm) PG-THSOG-4-1 (SSO4G 5x6 mm)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Qualification AEC-Q101 (Automotive) —
Technology OptiMOS-7 trench-gate —
Product Family — OptiMOS 7
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tj) — 147 A
On-Resistance RDS(on) typical — 1.95 mOhm
Maximum Power Dissipation (Tc) — 81 W
Substrate Compatibility — IMS substrates and legacy PCB
Automotive Qualification — AEC-Q101 (per family datasheet)
RoHS-Status — Compliant
Lead-Free — Yes
Tape and Reel Packaging — Yes (per ATMA1 suffix)

Datenblätter & Ressourcen

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