IAUZN04S7N049ATMA1 vs IAUCN04S7N019GATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IAUZN04S7N049ATMA1 par Infineon et IAUCN04S7N019GATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IAUZN04S7N049ATMA1 IAUCN04S7N019GATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,32 $0,82
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS-7 —
Type de transistor N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) 40 V —
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, T<sub>a</sub>) 14 A —
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, T<sub>j</sub>) 70 A —
Pulsed Drain Current (I<sub>DM</sub>) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
R<sub>DS(on)</sub> (max, V<sub>GS</sub>=10V) 1.2 to 4.9 mOhm —
Gate Threshold Voltage (V<sub>GS(th)</sub>) [DATA_NEEDED: VGS(th)] —
Power Dissipation (P<sub>D</sub>, T<sub>c</sub>) 45 W —
Plage de température de fonctionnement -55C to +175C (junction) [DATA_NEEDED: junction temperature range from datasheet]
Boîtier PG-TSDSON-8-44 (5x6 mm) PG-THSOG-4-1 (SSO4G 5x6 mm)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Qualification AEC-Q101 (Automotive) —
Technology OptiMOS-7 trench-gate —
Product Family — OptiMOS 7
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tj) — 147 A
On-Resistance RDS(on) typical — 1.95 mOhm
Maximum Power Dissipation (Tc) — 81 W
Substrate Compatibility — IMS substrates and legacy PCB
Automotive Qualification — AEC-Q101 (per family datasheet)
Statut RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes
Tape and Reel Packaging — Yes (per ATMA1 suffix)

Fiches techniques et ressources

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