IAUZN04S7N049ATMA1 vs IAUCN04S7N019GATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IAUZN04S7N049ATMA1 por Infineon e IAUCN04S7N019GATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IAUZN04S7N049ATMA1 IAUCN04S7N019GATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,32 $0,82
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS-7 —
Tipo de transistor N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) 40 V —
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, T<sub>a</sub>) 14 A —
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, T<sub>j</sub>) 70 A —
Pulsed Drain Current (I<sub>DM</sub>) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
R<sub>DS(on)</sub> (max, V<sub>GS</sub>=10V) 1.2 to 4.9 mOhm —
Gate Threshold Voltage (V<sub>GS(th)</sub>) [DATA_NEEDED: VGS(th)] —
Power Dissipation (P<sub>D</sub>, T<sub>c</sub>) 45 W —
Faixa de temperatura de operação -55C to +175C (junction) [DATA_NEEDED: junction temperature range from datasheet]
Encapsulamento PG-TSDSON-8-44 (5x6 mm) PG-THSOG-4-1 (SSO4G 5x6 mm)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Qualification AEC-Q101 (Automotive) —
Technology OptiMOS-7 trench-gate —
Product Family — OptiMOS 7
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tj) — 147 A
On-Resistance RDS(on) typical — 1.95 mOhm
Maximum Power Dissipation (Tc) — 81 W
Substrate Compatibility — IMS substrates and legacy PCB
Automotive Qualification — AEC-Q101 (per family datasheet)
Status RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes
Tape and Reel Packaging — Yes (per ATMA1 suffix)

Fichas técnicas e recursos

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