IAUZN04S7N049ATMA1 vs IAUCN04S7N019GATMA1 比較
詳細な並列比較: IAUZN04S7N049ATMA1 メーカー: Infineon および IAUCN04S7N019GATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
Infineon
IAUCN04S7N019GATMA1 - 40V OptiMOS 7 N-FET, 1.95 mOhm SSO4G | Infineon
IAUCN04S7N019GATMA1 ✓ 生産中仕様比較
| パラメータ | IAUZN04S7N049ATMA1 | IAUCN04S7N019GATMA1 |
|---|---|---|
| ブランド | Infineon | Infineon |
| カテゴリ | MOSFETs | MOSFETs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $0.32 | $0.82 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS-7 | — |
| トランジスタタイプ | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, T<sub>a</sub>) | 14 A | — |
| Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, T<sub>j</sub>) | 70 A | — |
| Pulsed Drain Current (I<sub>DM</sub>) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| R<sub>DS(on)</sub> (max, V<sub>GS</sub>=10V) | 1.2 to 4.9 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage (V<sub>GS(th)</sub>) | [DATA_NEEDED: VGS(th)] | — |
| Power Dissipation (P<sub>D</sub>, T<sub>c</sub>) | 45 W | — |
| 動作温度範囲 | -55C to +175C (junction) | [DATA_NEEDED: junction temperature range from datasheet] |
| パッケージ | PG-TSDSON-8-44 (5x6 mm) | PG-THSOG-4-1 (SSO4G 5x6 mm) |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| Qualification | AEC-Q101 (Automotive) | — |
| Technology | OptiMOS-7 trench-gate | — |
| Product Family | — | OptiMOS 7 |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tj) | — | 147 A |
| On-Resistance RDS(on) typical | — | 1.95 mOhm |
| Maximum Power Dissipation (Tc) | — | 81 W |
| Substrate Compatibility | — | IMS substrates and legacy PCB |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 (per family datasheet) |
| RoHS ステータス | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| Tape and Reel Packaging | — | Yes (per ATMA1 suffix) |