IGLR70R270D2SXUMA1 vs ISC011N04NM7VATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IGLR70R270D2SXUMA1 von Infineon und ISC011N04NM7VATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IGLR70R270D2SXUMA1 ISC011N04NM7VATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $2,13 $0,41
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family CoolGaN™ G5 OptiMOS 7 Power-Transistor
Technology Gallium Nitride (GaN) HEMT, enhancement-mode Trench MOSFET, silicon
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 700 V 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 7.3 A —
Power Dissipation (PD, Tc) 28 W —
On-State Resistance (RDS(on), typ.) 270 mΩ —
Gehäuse PG-TSON-8-8 (ThinPAK) PG-TDSON-8 (source-down)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Gate Drive 0 to 12 V (enhancement-mode, internal gate diode) —
Wafer Process 200 mm (8-inch) GaN-on-Si —
RoHS-Status Compliant —
Betriebstemperaturbereich -40C to +150C (junction) -55 °C to +175 °C (TJ)
Reverse Recovery Charge (Qrr) 0 nC (no body diode) —
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C — 38 A
Continuous Drain Current (ID) at TC — 256 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 1.1 mΩ
Power Dissipation (TA) — 3 W
Power Dissipation (TC) — 136 W
Gate Threshold Voltage (Vth) — Up to 3.2 V
Short-Circuit Withstand — Yes (current-limited)
RoHS Compliance — Compliant (per Infineon product page)
MSL-Level — MSL 1 (per JEDEC J-STD-020)

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