IGLR70R270D2SXUMA1 vs ISC011N04NM7VATMA1 비교
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Infineon
IGLR70R270D2SXUMA1 - 700V GaN Transistor, 270mΩ CoolGaN G5 | Infineon
IGLR70R270D2SXUMA1 ✓ 활성사양 비교
| 파라미터 | IGLR70R270D2SXUMA1 | ISC011N04NM7VATMA1 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $2.13 | $0.41 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | CoolGaN™ G5 | OptiMOS 7 Power-Transistor |
| Technology | Gallium Nitride (GaN) HEMT, enhancement-mode | Trench MOSFET, silicon |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 700 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 7.3 A | — |
| Power Dissipation (PD, Tc) | 28 W | — |
| On-State Resistance (RDS(on), typ.) | 270 mΩ | — |
| 패키지 | PG-TSON-8-8 (ThinPAK) | PG-TDSON-8 (source-down) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Gate Drive | 0 to 12 V (enhancement-mode, internal gate diode) | — |
| Wafer Process | 200 mm (8-inch) GaN-on-Si | — |
| RoHS 상태 | Compliant | — |
| 동작 온도 범위 | -40C to +150C (junction) | -55 °C to +175 °C (TJ) |
| Reverse Recovery Charge (Qrr) | 0 nC (no body diode) | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | — | 38 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | 256 A |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 1.1 mΩ |
| Power Dissipation (TA) | — | 3 W |
| Power Dissipation (TC) | — | 136 W |
| Gate Threshold Voltage (Vth) | — | Up to 3.2 V |
| Short-Circuit Withstand | — | Yes (current-limited) |
| RoHS Compliance | — | Compliant (per Infineon product page) |
| MSL 레벨 | — | MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) |