IGLR70R270D2SXUMA1 vs ISC011N04NM7VATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IGLR70R270D2SXUMA1 por Infineon y ISC011N04NM7VATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
ISC011N04NM7VATMA1 ISC011N04NM7VATMA1 - 40V 1.1mΩ OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

ISC011N04NM7VATMA1 - 40V 1.1mΩ OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon

ISC011N04NM7VATMA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro IGLR70R270D2SXUMA1 ISC011N04NM7VATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $2,13 $0,41
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family CoolGaN™ G5 OptiMOS 7 Power-Transistor
Technology Gallium Nitride (GaN) HEMT, enhancement-mode Trench MOSFET, silicon
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 700 V 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 7.3 A —
Power Dissipation (PD, Tc) 28 W —
On-State Resistance (RDS(on), typ.) 270 mΩ —
Encapsulado PG-TSON-8-8 (ThinPAK) PG-TDSON-8 (source-down)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Gate Drive 0 to 12 V (enhancement-mode, internal gate diode) —
Wafer Process 200 mm (8-inch) GaN-on-Si —
Estado RoHS Compliant —
Rango de temperatura de funcionamiento -40C to +150C (junction) -55 °C to +175 °C (TJ)
Reverse Recovery Charge (Qrr) 0 nC (no body diode) —
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C — 38 A
Continuous Drain Current (ID) at TC — 256 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 1.1 mΩ
Power Dissipation (TA) — 3 W
Power Dissipation (TC) — 136 W
Gate Threshold Voltage (Vth) — Up to 3.2 V
Short-Circuit Withstand — Yes (current-limited)
RoHS Compliance — Compliant (per Infineon product page)
Nivel MSL — MSL 1 (per JEDEC J-STD-020)

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