IGLR70R270D2SXUMA1 vs ISC011N04NM7VATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IGLR70R270D2SXUMA1 par Infineon et ISC011N04NM7VATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IGLR70R270D2SXUMA1 ISC011N04NM7VATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $2,13 $0,41
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family CoolGaN™ G5 OptiMOS 7 Power-Transistor
Technology Gallium Nitride (GaN) HEMT, enhancement-mode Trench MOSFET, silicon
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 700 V 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 7.3 A —
Power Dissipation (PD, Tc) 28 W —
On-State Resistance (RDS(on), typ.) 270 mΩ —
Boîtier PG-TSON-8-8 (ThinPAK) PG-TDSON-8 (source-down)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Gate Drive 0 to 12 V (enhancement-mode, internal gate diode) —
Wafer Process 200 mm (8-inch) GaN-on-Si —
Statut RoHS Compliant —
Plage de température de fonctionnement -40C to +150C (junction) -55 °C to +175 °C (TJ)
Reverse Recovery Charge (Qrr) 0 nC (no body diode) —
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C — 38 A
Continuous Drain Current (ID) at TC — 256 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 1.1 mΩ
Power Dissipation (TA) — 3 W
Power Dissipation (TC) — 136 W
Gate Threshold Voltage (Vth) — Up to 3.2 V
Short-Circuit Withstand — Yes (current-limited)
RoHS Compliance — Compliant (per Infineon product page)
Niveau MSL — MSL 1 (per JEDEC J-STD-020)

Fiches techniques et ressources

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