IGLR70R270D2SXUMA1 vs ISC011N04NM7VATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IGLR70R270D2SXUMA1 por Infineon e ISC011N04NM7VATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IGLR70R270D2SXUMA1 ISC011N04NM7VATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $2,13 $0,41
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family CoolGaN™ G5 OptiMOS 7 Power-Transistor
Technology Gallium Nitride (GaN) HEMT, enhancement-mode Trench MOSFET, silicon
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 700 V 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 7.3 A —
Power Dissipation (PD, Tc) 28 W —
On-State Resistance (RDS(on), typ.) 270 mΩ —
Encapsulamento PG-TSON-8-8 (ThinPAK) PG-TDSON-8 (source-down)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Gate Drive 0 to 12 V (enhancement-mode, internal gate diode) —
Wafer Process 200 mm (8-inch) GaN-on-Si —
Status RoHS Compliant —
Faixa de temperatura de operação -40C to +150C (junction) -55 °C to +175 °C (TJ)
Reverse Recovery Charge (Qrr) 0 nC (no body diode) —
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C — 38 A
Continuous Drain Current (ID) at TC — 256 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 1.1 mΩ
Power Dissipation (TA) — 3 W
Power Dissipation (TC) — 136 W
Gate Threshold Voltage (Vth) — Up to 3.2 V
Short-Circuit Withstand — Yes (current-limited)
RoHS Compliance — Compliant (per Infineon product page)
Nível MSL — MSL 1 (per JEDEC J-STD-020)

Fichas técnicas e recursos

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