IPB107N20N3GATMA1 vs IPB200N25N3GATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IPB107N20N3GATMA1 von Infineon und IPB200N25N3GATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IPB107N20N3GATMA1 IPB200N25N3GATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,18 $1,65
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 3 —
Transistortyp N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 200 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 88 A —
Maximum Power Dissipation (Pd) at Tc 300 W —
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V 9.6 milliohm (typical, per third-party listing) —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/range] —
Betriebstemperaturbereich [DATA_NEEDED: Tj max and operating range] -55C to +175C
Gehäuse PG-TO263-3 (D2PAK) PG-TO263-3 (D2PAK)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Pin-Anzahl 3 (Drain, Source, Gate) + Tab 3 (2+tab)
RoHS-Status Compliant Compliant
Technology OptiMOS 3 trench MOSFET OptiMOS 3 (Trench)
Part Family — OptiMOS 3
Drain-Source Voltage (V_DS) — 250 V
Continuous Drain Current (I_D) at T_C — 64 A
Power Dissipation (P_D) at T_C — 300 W
R_DS(on) max at V_GS=10V — 20 mOhm
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical/max]
Gate Charge (Q_g) — [DATA_NEEDED: Q_g typical]
Halogenfrei — Yes (per Infineon OptiMOS family datasheet)
MSL-Level — 1 (per JEDEC J-STD-020)

Datenblätter & Ressourcen

Alle Produkte durchsuchen BOM erstellen Angebot anfordern