IPB107N20N3GATMA1 vs IPB200N25N3GATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IPB107N20N3GATMA1 por Infineon y IPB200N25N3GATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IPB107N20N3GATMA1 IPB200N25N3GATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1,18 $1,65
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 3 —
Tipo de transistor N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 200 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 88 A —
Maximum Power Dissipation (Pd) at Tc 300 W —
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V 9.6 milliohm (typical, per third-party listing) —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/range] —
Rango de temperatura de funcionamiento [DATA_NEEDED: Tj max and operating range] -55C to +175C
Encapsulado PG-TO263-3 (D2PAK) PG-TO263-3 (D2PAK)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Recuento de pines 3 (Drain, Source, Gate) + Tab 3 (2+tab)
Estado RoHS Compliant Compliant
Technology OptiMOS 3 trench MOSFET OptiMOS 3 (Trench)
Part Family — OptiMOS 3
Drain-Source Voltage (V_DS) — 250 V
Continuous Drain Current (I_D) at T_C — 64 A
Power Dissipation (P_D) at T_C — 300 W
R_DS(on) max at V_GS=10V — 20 mOhm
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical/max]
Gate Charge (Q_g) — [DATA_NEEDED: Q_g typical]
Sin halógenos — Yes (per Infineon OptiMOS family datasheet)
Nivel MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020)

Hojas de datos y recursos

Examinar todos los productos Crear BOM Solicitar cotización