IPB107N20N3GATMA1 vs IPB200N25N3GATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPB107N20N3GATMA1 par Infineon et IPB200N25N3GATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IPB107N20N3GATMA1 IPB200N25N3GATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,18 $1,65
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 3 —
Type de transistor N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 200 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 88 A —
Maximum Power Dissipation (Pd) at Tc 300 W —
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V 9.6 milliohm (typical, per third-party listing) —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/range] —
Plage de température de fonctionnement [DATA_NEEDED: Tj max and operating range] -55C to +175C
Boîtier PG-TO263-3 (D2PAK) PG-TO263-3 (D2PAK)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Nombre de broches 3 (Drain, Source, Gate) + Tab 3 (2+tab)
Statut RoHS Compliant Compliant
Technology OptiMOS 3 trench MOSFET OptiMOS 3 (Trench)
Part Family — OptiMOS 3
Drain-Source Voltage (V_DS) — 250 V
Continuous Drain Current (I_D) at T_C — 64 A
Power Dissipation (P_D) at T_C — 300 W
R_DS(on) max at V_GS=10V — 20 mOhm
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical/max]
Gate Charge (Q_g) — [DATA_NEEDED: Q_g typical]
Sans halogène — Yes (per Infineon OptiMOS family datasheet)
Niveau MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020)

Fiches techniques et ressources

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