IPB107N20N3GATMA1 vs IPB200N25N3GATMA1 비교
다음의 상세 나란히 비교: IPB107N20N3GATMA1 제조: Infineon 및 IPB200N25N3GATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | IPB107N20N3GATMA1 | IPB200N25N3GATMA1 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $1.18 | $1.65 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 3 | — |
| 트랜지스터 유형 | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 200 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 88 A | — |
| Maximum Power Dissipation (Pd) at Tc | 300 W | — |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=10V | 9.6 milliohm (typical, per third-party listing) | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/range] | — |
| 동작 온도 범위 | [DATA_NEEDED: Tj max and operating range] | -55C to +175C |
| 패키지 | PG-TO263-3 (D2PAK) | PG-TO263-3 (D2PAK) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| 핀 수 | 3 (Drain, Source, Gate) + Tab | 3 (2+tab) |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant |
| Technology | OptiMOS 3 trench MOSFET | OptiMOS 3 (Trench) |
| Part Family | — | OptiMOS 3 |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | — | 250 V |
| Continuous Drain Current (I_D) at T_C | — | 64 A |
| Power Dissipation (P_D) at T_C | — | 300 W |
| R_DS(on) max at V_GS=10V | — | 20 mOhm |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | — | [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical/max] |
| Gate Charge (Q_g) | — | [DATA_NEEDED: Q_g typical] |
| 할로겐 프리 | — | Yes (per Infineon OptiMOS family datasheet) |
| MSL 레벨 | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |