IPB107N20N3GATMA1 vs IPB200N25N3GATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPB107N20N3GATMA1 por Infineon e IPB200N25N3GATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IPB107N20N3GATMA1 IPB200N25N3GATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,18 $1,65
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 3 —
Tipo de transistor N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 200 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 88 A —
Maximum Power Dissipation (Pd) at Tc 300 W —
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V 9.6 milliohm (typical, per third-party listing) —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/range] —
Faixa de temperatura de operação [DATA_NEEDED: Tj max and operating range] -55C to +175C
Encapsulamento PG-TO263-3 (D2PAK) PG-TO263-3 (D2PAK)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Contagem de pinos 3 (Drain, Source, Gate) + Tab 3 (2+tab)
Status RoHS Compliant Compliant
Technology OptiMOS 3 trench MOSFET OptiMOS 3 (Trench)
Part Family — OptiMOS 3
Drain-Source Voltage (V_DS) — 250 V
Continuous Drain Current (I_D) at T_C — 64 A
Power Dissipation (P_D) at T_C — 300 W
R_DS(on) max at V_GS=10V — 20 mOhm
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical/max]
Gate Charge (Q_g) — [DATA_NEEDED: Q_g typical]
Livre de halogênio — Yes (per Infineon OptiMOS family datasheet)
Nível MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020)

Fichas técnicas e recursos

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