IPB120P04P4L03ATMA2 vs IRF4905SPBF Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IPB120P04P4L03ATMA2 von Infineon und IRF4905SPBF von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IPB120P04P4L03ATMA2 IRF4905SPBF
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,74 $1,18
Transistor Polarity P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V -55 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 120 A -42 A
Power Dissipation (PD, Tc=25C) 136 W 170 W
On-Resistance (RDS(on)) 3.1 mΩ (typ, per Infineon summary) —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max] [DATA_NEEDED: VGS max, typical +/-20V]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/range] -2.0 V to -4.0 V
Betriebs-Sperrschichttemperatur -55C to +175C -55 C to +150 C
Gehäuse PG-TO263-3-2 (D2PAK) D2PAK (TO-263) surface mount
Montageart Surface Mount Surface Mount
Technology Family OptiMOS-P2 —
Configuration Single P-Channel MOSFET —
Pin-Anzahl 3 (Gate, Drain, Source) —
MSL-Level [DATA_NEEDED: MSL level] —
RoHS-Status Compliant (per Infineon product page) Compliant (PBF suffix indicates Pb-free)
Polarity — P-Channel
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance (RDS(on) max) — 20 mOhm @ VGS = -10V
Thermal Resistance, Junction-to-Case (RthJC) — [DATA_NEEDED: RthJC, typical 0.6 C/W]
Technology — HEXFET, planar cell
Total Gate Charge (Qg) — 120 nC (typical per Mouser listing)
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]
Qualification — JEDEC standard

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