IPB120P04P4L03ATMA2 vs IRF4905SPBF 비교

다음의 상세 나란히 비교: IPB120P04P4L03ATMA2 제조: Infineon 및 IRF4905SPBF 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 IPB120P04P4L03ATMA2 IRF4905SPBF
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $1.74 $1.18
Transistor Polarity P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V -55 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 120 A -42 A
Power Dissipation (PD, Tc=25C) 136 W 170 W
On-Resistance (RDS(on)) 3.1 mΩ (typ, per Infineon summary) —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max] [DATA_NEEDED: VGS max, typical +/-20V]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/range] -2.0 V to -4.0 V
동작 접합 온도 -55C to +175C -55 C to +150 C
패키지 PG-TO263-3-2 (D2PAK) D2PAK (TO-263) surface mount
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Technology Family OptiMOS-P2 —
Configuration Single P-Channel MOSFET —
핀 수 3 (Gate, Drain, Source) —
MSL 레벨 [DATA_NEEDED: MSL level] —
RoHS 상태 Compliant (per Infineon product page) Compliant (PBF suffix indicates Pb-free)
Polarity — P-Channel
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance (RDS(on) max) — 20 mOhm @ VGS = -10V
Thermal Resistance, Junction-to-Case (RthJC) — [DATA_NEEDED: RthJC, typical 0.6 C/W]
Technology — HEXFET, planar cell
Total Gate Charge (Qg) — 120 nC (typical per Mouser listing)
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]
Qualification — JEDEC standard

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