IPB120P04P4L03ATMA2 vs IRF4905SPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPB120P04P4L03ATMA2 por Infineon e IRF4905SPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IPB120P04P4L03ATMA2 IRF4905SPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,74 $1,18
Transistor Polarity P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V -55 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 120 A -42 A
Power Dissipation (PD, Tc=25C) 136 W 170 W
On-Resistance (RDS(on)) 3.1 mΩ (typ, per Infineon summary) —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max] [DATA_NEEDED: VGS max, typical +/-20V]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/range] -2.0 V to -4.0 V
Temperatura de junção de operação -55C to +175C -55 C to +150 C
Encapsulamento PG-TO263-3-2 (D2PAK) D2PAK (TO-263) surface mount
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Technology Family OptiMOS-P2 —
Configuration Single P-Channel MOSFET —
Contagem de pinos 3 (Gate, Drain, Source) —
Nível MSL [DATA_NEEDED: MSL level] —
Status RoHS Compliant (per Infineon product page) Compliant (PBF suffix indicates Pb-free)
Polarity — P-Channel
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance (RDS(on) max) — 20 mOhm @ VGS = -10V
Thermal Resistance, Junction-to-Case (RthJC) — [DATA_NEEDED: RthJC, typical 0.6 C/W]
Technology — HEXFET, planar cell
Total Gate Charge (Qg) — 120 nC (typical per Mouser listing)
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]
Qualification — JEDEC standard

Fichas técnicas e recursos

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