IPB120P04P4L03ATMA2 vs IRF4905SPBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IPB120P04P4L03ATMA2 por Infineon y IRF4905SPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IPB120P04P4L03ATMA2 IRF4905SPBF
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1,74 $1,18
Transistor Polarity P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V -55 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 120 A -42 A
Power Dissipation (PD, Tc=25C) 136 W 170 W
On-Resistance (RDS(on)) 3.1 mΩ (typ, per Infineon summary) —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max] [DATA_NEEDED: VGS max, typical +/-20V]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/range] -2.0 V to -4.0 V
Temperatura de unión de funcionamiento -55C to +175C -55 C to +150 C
Encapsulado PG-TO263-3-2 (D2PAK) D2PAK (TO-263) surface mount
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Technology Family OptiMOS-P2 —
Configuration Single P-Channel MOSFET —
Recuento de pines 3 (Gate, Drain, Source) —
Nivel MSL [DATA_NEEDED: MSL level] —
Estado RoHS Compliant (per Infineon product page) Compliant (PBF suffix indicates Pb-free)
Polarity — P-Channel
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance (RDS(on) max) — 20 mOhm @ VGS = -10V
Thermal Resistance, Junction-to-Case (RthJC) — [DATA_NEEDED: RthJC, typical 0.6 C/W]
Technology — HEXFET, planar cell
Total Gate Charge (Qg) — 120 nC (typical per Mouser listing)
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]
Qualification — JEDEC standard

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