IPB120P04P4L03ATMA2 vs IRF4905SPBF 比較

詳細な並列比較: IPB120P04P4L03ATMA2 メーカー: Infineon および IRF4905SPBF メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IPB120P04P4L03ATMA2 IPB120P04P4L03ATMA2 - 40V P-Channel MOSFET, 120A, D2PAK | Infineon

IPB120P04P4L03ATMA2 - 40V P-Channel MOSFET, 120A, D2PAK | Infineon

IPB120P04P4L03ATMA2 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IPB120P04P4L03ATMA2 IRF4905SPBF
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $1.74 $1.18
Transistor Polarity P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V -55 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 120 A -42 A
Power Dissipation (PD, Tc=25C) 136 W 170 W
On-Resistance (RDS(on)) 3.1 mΩ (typ, per Infineon summary) —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max] [DATA_NEEDED: VGS max, typical +/-20V]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/range] -2.0 V to -4.0 V
動作接合温度 -55C to +175C -55 C to +150 C
パッケージ PG-TO263-3-2 (D2PAK) D2PAK (TO-263) surface mount
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Technology Family OptiMOS-P2 —
Configuration Single P-Channel MOSFET —
ピン数 3 (Gate, Drain, Source) —
MSLレベル [DATA_NEEDED: MSL level] —
RoHS ステータス Compliant (per Infineon product page) Compliant (PBF suffix indicates Pb-free)
Polarity — P-Channel
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance (RDS(on) max) — 20 mOhm @ VGS = -10V
Thermal Resistance, Junction-to-Case (RthJC) — [DATA_NEEDED: RthJC, typical 0.6 C/W]
Technology — HEXFET, planar cell
Total Gate Charge (Qg) — 120 nC (typical per Mouser listing)
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]
Qualification — JEDEC standard

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