IPB200N25N3GATMA1 vs IPB107N20N3GATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IPB200N25N3GATMA1 von Infineon und IPB107N20N3GATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IPB200N25N3GATMA1 IPB107N20N3GATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,65 $1,18
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family OptiMOS 3 —
Transistortyp N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Gehäuse PG-TO263-3 (D2PAK) PG-TO263-3 (D2PAK)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Drain-Source Voltage (V_DS) 250 V —
Continuous Drain Current (I_D) at T_C 64 A —
Power Dissipation (P_D) at T_C 300 W —
R_DS(on) max at V_GS=10V 20 mOhm —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical/max] —
Technology OptiMOS 3 (Trench) OptiMOS 3 trench MOSFET
Gate Charge (Q_g) [DATA_NEEDED: Q_g typical] —
Betriebstemperaturbereich -55C to +175C [DATA_NEEDED: Tj max and operating range]
RoHS-Status Compliant Compliant
Halogenfrei Yes (per Infineon OptiMOS family datasheet) —
MSL-Level 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Pin-Anzahl 3 (2+tab) 3 (Drain, Source, Gate) + Tab
Product Family — OptiMOS 3
Drain-Source Voltage (VDS) — 200 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 88 A
Maximum Power Dissipation (Pd) at Tc — 300 W
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V — 9.6 milliohm (typical, per third-party listing)
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/range]

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