IPB200N25N3GATMA1 vs IPB107N20N3GATMA1 比較
詳細な並列比較: IPB200N25N3GATMA1 メーカー: Infineon および IPB107N20N3GATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | IPB200N25N3GATMA1 | IPB107N20N3GATMA1 |
|---|---|---|
| ブランド | Infineon | Infineon |
| カテゴリ | MOSFETs | MOSFETs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $1.65 | $1.18 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Family | OptiMOS 3 | — |
| トランジスタタイプ | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| パッケージ | PG-TO263-3 (D2PAK) | PG-TO263-3 (D2PAK) |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | 250 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D) at T_C | 64 A | — |
| Power Dissipation (P_D) at T_C | 300 W | — |
| R_DS(on) max at V_GS=10V | 20 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical/max] | — |
| Technology | OptiMOS 3 (Trench) | OptiMOS 3 trench MOSFET |
| Gate Charge (Q_g) | [DATA_NEEDED: Q_g typical] | — |
| 動作温度範囲 | -55C to +175C | [DATA_NEEDED: Tj max and operating range] |
| RoHS ステータス | Compliant | Compliant |
| ハロゲンフリー | Yes (per Infineon OptiMOS family datasheet) | — |
| MSLレベル | 1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| ピン数 | 3 (2+tab) | 3 (Drain, Source, Gate) + Tab |
| Product Family | — | OptiMOS 3 |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 200 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 88 A |
| Maximum Power Dissipation (Pd) at Tc | — | 300 W |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=10V | — | 9.6 milliohm (typical, per third-party listing) |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/range] |