IPB200N25N3GATMA1 vs IPB107N20N3GATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPB200N25N3GATMA1 par Infineon et IPB107N20N3GATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IPB200N25N3GATMA1 IPB107N20N3GATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,65 $1,18
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family OptiMOS 3 —
Type de transistor N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Boîtier PG-TO263-3 (D2PAK) PG-TO263-3 (D2PAK)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Drain-Source Voltage (V_DS) 250 V —
Continuous Drain Current (I_D) at T_C 64 A —
Power Dissipation (P_D) at T_C 300 W —
R_DS(on) max at V_GS=10V 20 mOhm —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical/max] —
Technology OptiMOS 3 (Trench) OptiMOS 3 trench MOSFET
Gate Charge (Q_g) [DATA_NEEDED: Q_g typical] —
Plage de température de fonctionnement -55C to +175C [DATA_NEEDED: Tj max and operating range]
Statut RoHS Compliant Compliant
Sans halogène Yes (per Infineon OptiMOS family datasheet) —
Niveau MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Nombre de broches 3 (2+tab) 3 (Drain, Source, Gate) + Tab
Product Family — OptiMOS 3
Drain-Source Voltage (VDS) — 200 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 88 A
Maximum Power Dissipation (Pd) at Tc — 300 W
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V — 9.6 milliohm (typical, per third-party listing)
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/range]

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