IPB200N25N3GATMA1 vs IPB107N20N3GATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IPB200N25N3GATMA1 por Infineon y IPB107N20N3GATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IPB200N25N3GATMA1 IPB107N20N3GATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1,65 $1,18
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family OptiMOS 3 —
Tipo de transistor N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Encapsulado PG-TO263-3 (D2PAK) PG-TO263-3 (D2PAK)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Drain-Source Voltage (V_DS) 250 V —
Continuous Drain Current (I_D) at T_C 64 A —
Power Dissipation (P_D) at T_C 300 W —
R_DS(on) max at V_GS=10V 20 mOhm —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical/max] —
Technology OptiMOS 3 (Trench) OptiMOS 3 trench MOSFET
Gate Charge (Q_g) [DATA_NEEDED: Q_g typical] —
Rango de temperatura de funcionamiento -55C to +175C [DATA_NEEDED: Tj max and operating range]
Estado RoHS Compliant Compliant
Sin halógenos Yes (per Infineon OptiMOS family datasheet) —
Nivel MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Recuento de pines 3 (2+tab) 3 (Drain, Source, Gate) + Tab
Product Family — OptiMOS 3
Drain-Source Voltage (VDS) — 200 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 88 A
Maximum Power Dissipation (Pd) at Tc — 300 W
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V — 9.6 milliohm (typical, per third-party listing)
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/range]

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