IPB200N25N3GATMA1 vs IPB107N20N3GATMA1 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de IPB200N25N3GATMA1 por Infineon e IPB107N20N3GATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Infineon
IPB107N20N3GATMA1 - 200V 88A OptiMOS 3 N-Channel MOSFET | Infineon
IPB107N20N3GATMA1 ✓ AtivoComparação de especificações
| Parâmetro | IPB200N25N3GATMA1 | IPB107N20N3GATMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $1,65 | $1,18 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Family | OptiMOS 3 | — |
| Tipo de transistor | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Encapsulamento | PG-TO263-3 (D2PAK) | PG-TO263-3 (D2PAK) |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | 250 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D) at T_C | 64 A | — |
| Power Dissipation (P_D) at T_C | 300 W | — |
| R_DS(on) max at V_GS=10V | 20 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical/max] | — |
| Technology | OptiMOS 3 (Trench) | OptiMOS 3 trench MOSFET |
| Gate Charge (Q_g) | [DATA_NEEDED: Q_g typical] | — |
| Faixa de temperatura de operação | -55C to +175C | [DATA_NEEDED: Tj max and operating range] |
| Status RoHS | Compliant | Compliant |
| Livre de halogênio | Yes (per Infineon OptiMOS family datasheet) | — |
| Nível MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| Contagem de pinos | 3 (2+tab) | 3 (Drain, Source, Gate) + Tab |
| Product Family | — | OptiMOS 3 |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 200 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 88 A |
| Maximum Power Dissipation (Pd) at Tc | — | 300 W |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=10V | — | 9.6 milliohm (typical, per third-party listing) |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/range] |