IPB60R040CFD7ATMA1 vs IPD50R399CPATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IPB60R040CFD7ATMA1 von Infineon und IPD50R399CPATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IPB60R040CFD7ATMA1 IPD50R399CPATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $5,19 $0,89
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family CoolMOS CFD7 CoolMOS CP
Technology Superjunction (SJ) N-Channel MOSFET CoolMOS CP (superjunction)
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 50 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 40 mΩ —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 4 V —
Total Gate Charge Qg typ [DATA_NEEDED: Qg] —
Verlustleistung (TC=25°C) 227 W —
Betriebstemperaturbereich -55°C to +150°C —
Gehäuse PG-TO263-3-2 (D2PAK) PG-TO252-3-313 (DPAK)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Integrated Body Diode Yes - ultra-fast CoolMOS CFD7 diode —
MSL-Level 1 —
RoHS-Status Compliant —
Lead-Free Yes —
Target Applications Soft-switching topologies (ZVS phase-shift full-bridge, LLC) —
Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (V_DS) — 500 V
Continuous Drain Current (I_D, Tc) — 9 A
Power Dissipation (P_D, Tc) — 83 W
On-Resistance (R_DS(on), typ) — 0.399 ohm
Pin-Anzahl — 3 (Gate, Drain, Source)
Lead Free / RoHS — ROHS3 Compliant
Configuration — Single
Operating Mode — Enhancement-mode
Datasheet Series — IPD50R399CP

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