IPB60R040CFD7ATMA1 vs IPD50R399CPATMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: IPB60R040CFD7ATMA1 제조: Infineon 및 IPD50R399CPATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 IPB60R040CFD7ATMA1 IPD50R399CPATMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $5.19 $0.89
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family CoolMOS CFD7 CoolMOS CP
Technology Superjunction (SJ) N-Channel MOSFET CoolMOS CP (superjunction)
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 50 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 40 mΩ —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 4 V —
Total Gate Charge Qg typ [DATA_NEEDED: Qg] —
전력 손실 (TC=25°C) 227 W —
동작 온도 범위 -55°C to +150°C —
패키지 PG-TO263-3-2 (D2PAK) PG-TO252-3-313 (DPAK)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Integrated Body Diode Yes - ultra-fast CoolMOS CFD7 diode —
MSL 레벨 1 —
RoHS 상태 Compliant —
Lead-Free Yes —
Target Applications Soft-switching topologies (ZVS phase-shift full-bridge, LLC) —
Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (V_DS) — 500 V
Continuous Drain Current (I_D, Tc) — 9 A
Power Dissipation (P_D, Tc) — 83 W
On-Resistance (R_DS(on), typ) — 0.399 ohm
핀 수 — 3 (Gate, Drain, Source)
Lead Free / RoHS — ROHS3 Compliant
Configuration — Single
Operating Mode — Enhancement-mode
Datasheet Series — IPD50R399CP

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