IPB60R040CFD7ATMA1 vs IPD50R399CPATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IPB60R040CFD7ATMA1 por Infineon y IPD50R399CPATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IPB60R040CFD7ATMA1 IPD50R399CPATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $5,19 $0,89
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family CoolMOS CFD7 CoolMOS CP
Technology Superjunction (SJ) N-Channel MOSFET CoolMOS CP (superjunction)
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 50 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 40 mΩ —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 4 V —
Total Gate Charge Qg typ [DATA_NEEDED: Qg] —
Disipación de potencia (TC=25°C) 227 W —
Rango de temperatura de funcionamiento -55°C to +150°C —
Encapsulado PG-TO263-3-2 (D2PAK) PG-TO252-3-313 (DPAK)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Integrated Body Diode Yes - ultra-fast CoolMOS CFD7 diode —
Nivel MSL 1 —
Estado RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
Target Applications Soft-switching topologies (ZVS phase-shift full-bridge, LLC) —
Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (V_DS) — 500 V
Continuous Drain Current (I_D, Tc) — 9 A
Power Dissipation (P_D, Tc) — 83 W
On-Resistance (R_DS(on), typ) — 0.399 ohm
Recuento de pines — 3 (Gate, Drain, Source)
Lead Free / RoHS — ROHS3 Compliant
Configuration — Single
Operating Mode — Enhancement-mode
Datasheet Series — IPD50R399CP

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