IPB60R040CFD7ATMA1 vs IPD50R399CPATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPB60R040CFD7ATMA1 par Infineon et IPD50R399CPATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IPB60R040CFD7ATMA1 IPD50R399CPATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $5,19 $0,89
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family CoolMOS CFD7 CoolMOS CP
Technology Superjunction (SJ) N-Channel MOSFET CoolMOS CP (superjunction)
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 50 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 40 mΩ —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 4 V —
Total Gate Charge Qg typ [DATA_NEEDED: Qg] —
Dissipation de puissance (TC=25°C) 227 W —
Plage de température de fonctionnement -55°C to +150°C —
Boîtier PG-TO263-3-2 (D2PAK) PG-TO252-3-313 (DPAK)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Integrated Body Diode Yes - ultra-fast CoolMOS CFD7 diode —
Niveau MSL 1 —
Statut RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
Target Applications Soft-switching topologies (ZVS phase-shift full-bridge, LLC) —
Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (V_DS) — 500 V
Continuous Drain Current (I_D, Tc) — 9 A
Power Dissipation (P_D, Tc) — 83 W
On-Resistance (R_DS(on), typ) — 0.399 ohm
Nombre de broches — 3 (Gate, Drain, Source)
Lead Free / RoHS — ROHS3 Compliant
Configuration — Single
Operating Mode — Enhancement-mode
Datasheet Series — IPD50R399CP

Fiches techniques et ressources

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