IPB60R040CFD7ATMA1 vs IPD50R399CPATMA1 比較

詳細な並列比較: IPB60R040CFD7ATMA1 メーカー: Infineon および IPD50R399CPATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IPB60R040CFD7ATMA1 IPB60R040CFD7ATMA1 - 600V 50A 40mΩ CoolMOS CFD7 MOSFET | Infineon

IPB60R040CFD7ATMA1 - 600V 50A 40mΩ CoolMOS CFD7 MOSFET | Infineon

IPB60R040CFD7ATMA1 ✓ 生産中
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IPD50R399CPATMA1 IPD50R399CPATMA1 - 500V N-Ch CoolMOS CP, 9A DPAK | Infineon

IPD50R399CPATMA1 - 500V N-Ch CoolMOS CP, 9A DPAK | Infineon

IPD50R399CPATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IPB60R040CFD7ATMA1 IPD50R399CPATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $5.19 $0.89
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family CoolMOS CFD7 CoolMOS CP
Technology Superjunction (SJ) N-Channel MOSFET CoolMOS CP (superjunction)
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 50 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 40 mΩ —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 4 V —
Total Gate Charge Qg typ [DATA_NEEDED: Qg] —
消費電力(TC=25°C) 227 W —
動作温度範囲 -55°C to +150°C —
パッケージ PG-TO263-3-2 (D2PAK) PG-TO252-3-313 (DPAK)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Integrated Body Diode Yes - ultra-fast CoolMOS CFD7 diode —
MSLレベル 1 —
RoHS ステータス Compliant —
Lead-Free Yes —
Target Applications Soft-switching topologies (ZVS phase-shift full-bridge, LLC) —
Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (V_DS) — 500 V
Continuous Drain Current (I_D, Tc) — 9 A
Power Dissipation (P_D, Tc) — 83 W
On-Resistance (R_DS(on), typ) — 0.399 ohm
ピン数 — 3 (Gate, Drain, Source)
Lead Free / RoHS — ROHS3 Compliant
Configuration — Single
Operating Mode — Enhancement-mode
Datasheet Series — IPD50R399CP

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