IPD068N10N3GATMA1 vs IAUZ40N10S5N130ATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IPD068N10N3GATMA1 von Infineon und IAUZ40N10S5N130ATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IPD068N10N3GATMA1 IAUZ40N10S5N130ATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,65 $0,52
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number IPD068N10N3GATMA1 IAUZ40N10S5N130ATMA1
Technology OptiMOS 3 (N-Channel, Enhancement Mode) OptiMOS 5 (super-junction trench)
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 90 A —
On-Resistance RDS(on) max 6.8 mOhm —
Power Dissipation (PD) at Tc 150 W —
Gate Threshold Voltage VGS(th) 2.0 V to 4.0 V (typical) —
Gehäuse PG-TO252-3 (DPAK, 2 leads + tab) PG-TSDSON-8-33 (S3O8), 3.3 × 3.3 mm
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebs-Sperrschichttemperatur -55 C to +175 C —
Channel Type N-Channel —
Configuration Single —
RoHS-Status Compliant —
MSL-Level 1 —
Packing Tape & Reel (T/R) —
Qualification Industrial (non-automotive) —
Transistortyp — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C — 40 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 160 A
RDS(on) max at VGS=10V — 13 mΩ
RDS(on) typical — 10 mΩ
Maximum Power Dissipation (Tc) — 68 W
Betriebstemperaturbereich — -55°C to +175°C (TJ)
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Lead-Free / RoHS — ROHS3 Compliant

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