IPD068N10N3GATMA1 vs IAUZ40N10S5N130ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPD068N10N3GATMA1 par Infineon et IAUZ40N10S5N130ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IPD068N10N3GATMA1 IAUZ40N10S5N130ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,65 $0,52
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number IPD068N10N3GATMA1 IAUZ40N10S5N130ATMA1
Technology OptiMOS 3 (N-Channel, Enhancement Mode) OptiMOS 5 (super-junction trench)
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 90 A —
On-Resistance RDS(on) max 6.8 mOhm —
Power Dissipation (PD) at Tc 150 W —
Gate Threshold Voltage VGS(th) 2.0 V to 4.0 V (typical) —
Boîtier PG-TO252-3 (DPAK, 2 leads + tab) PG-TSDSON-8-33 (S3O8), 3.3 × 3.3 mm
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Température de jonction en fonctionnement -55 C to +175 C —
Channel Type N-Channel —
Configuration Single —
Statut RoHS Compliant —
Niveau MSL 1 —
Packing Tape & Reel (T/R) —
Qualification Industrial (non-automotive) —
Type de transistor — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C — 40 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 160 A
RDS(on) max at VGS=10V — 13 mΩ
RDS(on) typical — 10 mΩ
Maximum Power Dissipation (Tc) — 68 W
Plage de température de fonctionnement — -55°C to +175°C (TJ)
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Lead-Free / RoHS — ROHS3 Compliant

Fiches techniques et ressources

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