IPD068N10N3GATMA1 vs IAUZ40N10S5N130ATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IPD068N10N3GATMA1 por Infineon y IAUZ40N10S5N130ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
IAUZ40N10S5N130ATMA1 IAUZ40N10S5N130ATMA1 - 100V 40A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IAUZ40N10S5N130ATMA1 - 100V 40A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IAUZ40N10S5N130ATMA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro IPD068N10N3GATMA1 IAUZ40N10S5N130ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,65 $0,52
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number IPD068N10N3GATMA1 IAUZ40N10S5N130ATMA1
Technology OptiMOS 3 (N-Channel, Enhancement Mode) OptiMOS 5 (super-junction trench)
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 90 A —
On-Resistance RDS(on) max 6.8 mOhm —
Power Dissipation (PD) at Tc 150 W —
Gate Threshold Voltage VGS(th) 2.0 V to 4.0 V (typical) —
Encapsulado PG-TO252-3 (DPAK, 2 leads + tab) PG-TSDSON-8-33 (S3O8), 3.3 × 3.3 mm
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Temperatura de unión de funcionamiento -55 C to +175 C —
Channel Type N-Channel —
Configuration Single —
Estado RoHS Compliant —
Nivel MSL 1 —
Packing Tape & Reel (T/R) —
Qualification Industrial (non-automotive) —
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C — 40 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 160 A
RDS(on) max at VGS=10V — 13 mΩ
RDS(on) typical — 10 mΩ
Maximum Power Dissipation (Tc) — 68 W
Rango de temperatura de funcionamiento — -55°C to +175°C (TJ)
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Lead-Free / RoHS — ROHS3 Compliant

Hojas de datos y recursos

Examinar todos los productos Crear BOM Solicitar cotización