IPD068N10N3GATMA1 vs IAUZ40N10S5N130ATMA1 比較

詳細な並列比較: IPD068N10N3GATMA1 メーカー: Infineon および IAUZ40N10S5N130ATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IAUZ40N10S5N130ATMA1 IAUZ40N10S5N130ATMA1 - 100V 40A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IAUZ40N10S5N130ATMA1 - 100V 40A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IAUZ40N10S5N130ATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IPD068N10N3GATMA1 IAUZ40N10S5N130ATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.65 $0.52
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number IPD068N10N3GATMA1 IAUZ40N10S5N130ATMA1
Technology OptiMOS 3 (N-Channel, Enhancement Mode) OptiMOS 5 (super-junction trench)
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 90 A —
On-Resistance RDS(on) max 6.8 mOhm —
Power Dissipation (PD) at Tc 150 W —
Gate Threshold Voltage VGS(th) 2.0 V to 4.0 V (typical) —
パッケージ PG-TO252-3 (DPAK, 2 leads + tab) PG-TSDSON-8-33 (S3O8), 3.3 × 3.3 mm
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
動作接合温度 -55 C to +175 C —
Channel Type N-Channel —
Configuration Single —
RoHS ステータス Compliant —
MSLレベル 1 —
Packing Tape & Reel (T/R) —
Qualification Industrial (non-automotive) —
トランジスタタイプ — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C — 40 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 160 A
RDS(on) max at VGS=10V — 13 mΩ
RDS(on) typical — 10 mΩ
Maximum Power Dissipation (Tc) — 68 W
動作温度範囲 — -55°C to +175°C (TJ)
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Lead-Free / RoHS — ROHS3 Compliant

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