IPD068N10N3GATMA1 vs IAUZ40N10S5N130ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPD068N10N3GATMA1 por Infineon e IAUZ40N10S5N130ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IPD068N10N3GATMA1 IAUZ40N10S5N130ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,65 $0,52
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number IPD068N10N3GATMA1 IAUZ40N10S5N130ATMA1
Technology OptiMOS 3 (N-Channel, Enhancement Mode) OptiMOS 5 (super-junction trench)
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 90 A —
On-Resistance RDS(on) max 6.8 mOhm —
Power Dissipation (PD) at Tc 150 W —
Gate Threshold Voltage VGS(th) 2.0 V to 4.0 V (typical) —
Encapsulamento PG-TO252-3 (DPAK, 2 leads + tab) PG-TSDSON-8-33 (S3O8), 3.3 × 3.3 mm
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Temperatura de junção de operação -55 C to +175 C —
Channel Type N-Channel —
Configuration Single —
Status RoHS Compliant —
Nível MSL 1 —
Packing Tape & Reel (T/R) —
Qualification Industrial (non-automotive) —
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C — 40 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 160 A
RDS(on) max at VGS=10V — 13 mΩ
RDS(on) typical — 10 mΩ
Maximum Power Dissipation (Tc) — 68 W
Faixa de temperatura de operação — -55°C to +175°C (TJ)
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Lead-Free / RoHS — ROHS3 Compliant

Fichas técnicas e recursos

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