IPD320N20N3GATMA1 vs IPD200N15N3GATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IPD320N20N3GATMA1 von Infineon und IPD200N15N3GATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IPD320N20N3GATMA1 IPD200N15N3GATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,34 $1,50
FET Type N-Channel —
Technology OptiMOS 3 OptiMOS 3 (trench)
Drain-Source Voltage (VDS) 200 V 150 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 34 A —
Power Dissipation (PD, Tc) 136 W —
On-Resistance RDS(on) max 32 mOhm at VGS = 10 V —
Gate Charge x RDS(on) FOM Excellent (per datasheet) —
Betriebstemperaturbereich -55 C to +175 C (Tj) —
Gehäuse PG-TO252-3 (DPAK) PG-TO252-3 (DPAK)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Lead Plating Pb-free —
RoHS Compliance Compliant —
JEDEC Qualification Qualified for target application —
Channel Mode Enhancement mode —
Gate Threshold Level Normal level (per datasheet title) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — IPD200N15N3GATMA1
Transistortyp — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID, TC=25C) — 50 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 20 mOhm
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Power Dissipation (PD, TC=25C) — 150 W
Betriebs-Sperrschichttemperatur — -55 C to +175 C
Pin-Anzahl — 3 (Gate, Drain, Source)
MSL-Level — 1
RoHS-Status — Compliant
Lead-Free — Yes

Datenblätter & Ressourcen

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