IPD320N20N3GATMA1 vs IPD200N15N3GATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IPD320N20N3GATMA1 por Infineon e IPD200N15N3GATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IPD320N20N3GATMA1 IPD200N15N3GATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,34 $1,50
FET Type N-Channel —
Technology OptiMOS 3 OptiMOS 3 (trench)
Drain-Source Voltage (VDS) 200 V 150 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 34 A —
Power Dissipation (PD, Tc) 136 W —
On-Resistance RDS(on) max 32 mOhm at VGS = 10 V —
Gate Charge x RDS(on) FOM Excellent (per datasheet) —
Faixa de temperatura de operação -55 C to +175 C (Tj) —
Encapsulamento PG-TO252-3 (DPAK) PG-TO252-3 (DPAK)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Lead Plating Pb-free —
RoHS Compliance Compliant —
JEDEC Qualification Qualified for target application —
Channel Mode Enhancement mode —
Gate Threshold Level Normal level (per datasheet title) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — IPD200N15N3GATMA1
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID, TC=25C) — 50 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 20 mOhm
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Power Dissipation (PD, TC=25C) — 150 W
Temperatura de junção de operação — -55 C to +175 C
Contagem de pinos — 3 (Gate, Drain, Source)
Nível MSL — 1
Status RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes

Fichas técnicas e recursos

Ver todos os produtos Criar BOM Solicitar cotação