IPD320N20N3GATMA1 vs IPD200N15N3GATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de IPD320N20N3GATMA1 por Infineon y IPD200N15N3GATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IPD320N20N3GATMA1 IPD200N15N3GATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1,34 $1,50
FET Type N-Channel —
Technology OptiMOS 3 OptiMOS 3 (trench)
Drain-Source Voltage (VDS) 200 V 150 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 34 A —
Power Dissipation (PD, Tc) 136 W —
On-Resistance RDS(on) max 32 mOhm at VGS = 10 V —
Gate Charge x RDS(on) FOM Excellent (per datasheet) —
Rango de temperatura de funcionamiento -55 C to +175 C (Tj) —
Encapsulado PG-TO252-3 (DPAK) PG-TO252-3 (DPAK)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Lead Plating Pb-free —
RoHS Compliance Compliant —
JEDEC Qualification Qualified for target application —
Channel Mode Enhancement mode —
Gate Threshold Level Normal level (per datasheet title) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — IPD200N15N3GATMA1
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID, TC=25C) — 50 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 20 mOhm
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Power Dissipation (PD, TC=25C) — 150 W
Temperatura de unión de funcionamiento — -55 C to +175 C
Recuento de pines — 3 (Gate, Drain, Source)
Nivel MSL — 1
Estado RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes

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