IPD320N20N3GATMA1 vs IPD200N15N3GATMA1 비교
다음의 상세 나란히 비교: IPD320N20N3GATMA1 제조: Infineon 및 IPD200N15N3GATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | IPD320N20N3GATMA1 | IPD200N15N3GATMA1 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $1.34 | $1.50 |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | OptiMOS 3 | OptiMOS 3 (trench) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 200 V | 150 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 34 A | — |
| Power Dissipation (PD, Tc) | 136 W | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 32 mOhm at VGS = 10 V | — |
| Gate Charge x RDS(on) FOM | Excellent (per datasheet) | — |
| 동작 온도 범위 | -55 C to +175 C (Tj) | — |
| 패키지 | PG-TO252-3 (DPAK) | PG-TO252-3 (DPAK) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Lead Plating | Pb-free | — |
| RoHS Compliance | Compliant | — |
| JEDEC Qualification | Qualified for target application | — |
| Channel Mode | Enhancement mode | — |
| Gate Threshold Level | Normal level (per datasheet title) | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Number | — | IPD200N15N3GATMA1 |
| 트랜지스터 유형 | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID, TC=25C) | — | 50 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 20 mOhm |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Power Dissipation (PD, TC=25C) | — | 150 W |
| 동작 접합 온도 | — | -55 C to +175 C |
| 핀 수 | — | 3 (Gate, Drain, Source) |
| MSL 레벨 | — | 1 |
| RoHS 상태 | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |