IPD320N20N3GATMA1 vs IPD200N15N3GATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IPD320N20N3GATMA1 par Infineon et IPD200N15N3GATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IPD320N20N3GATMA1 IPD200N15N3GATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,34 $1,50
FET Type N-Channel —
Technology OptiMOS 3 OptiMOS 3 (trench)
Drain-Source Voltage (VDS) 200 V 150 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 34 A —
Power Dissipation (PD, Tc) 136 W —
On-Resistance RDS(on) max 32 mOhm at VGS = 10 V —
Gate Charge x RDS(on) FOM Excellent (per datasheet) —
Plage de température de fonctionnement -55 C to +175 C (Tj) —
Boîtier PG-TO252-3 (DPAK) PG-TO252-3 (DPAK)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Lead Plating Pb-free —
RoHS Compliance Compliant —
JEDEC Qualification Qualified for target application —
Channel Mode Enhancement mode —
Gate Threshold Level Normal level (per datasheet title) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — IPD200N15N3GATMA1
Type de transistor — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID, TC=25C) — 50 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 20 mOhm
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Power Dissipation (PD, TC=25C) — 150 W
Température de jonction en fonctionnement — -55 C to +175 C
Nombre de broches — 3 (Gate, Drain, Source)
Niveau MSL — 1
Statut RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes

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